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本ページでは、構成方程式
を求め、源場である磁場\(\boldsymbol H\)と力場である磁束密度\(\boldsymbol B\)の関係が磁化\(\boldsymbol M\)を介して得られることを確認する。
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前ページでは、源場である磁場\(\boldsymbol H\)と力場である磁束密度\(\boldsymbol B\)が透磁率\(\mu\)を用いて次の関係
があり、特に真空状態では真空の透磁率\(\mu_0\)を用いて
となることを見た。
内容
構成方程式
真空状態において、自由電流が作る磁場\(\boldsymbol H\)と磁束密度\(\boldsymbol B_0\)の関係は
であったため、電流が作る磁気力線の密度に真空の透磁率\(\mu_0\)を掛けると磁気力線の密度が作る磁束密度となることが分かる。よって、整列した磁化電流が作る磁気力線の密度である磁化\(\boldsymbol M\)に真空の透磁率\(\mu_0\)を掛けると磁化が作る磁束密度\(\boldsymbol B_m\)
となる。
力場である磁束密度\(\boldsymbol B\)は、磁場が作る磁束密度\(\boldsymbol B_0\)と磁化が作る磁束密度\(\boldsymbol B_m\)との重ね合わせて表現でき、
となる。
式(3)を変形した式
を構成方程式といい、源場である磁場\(\boldsymbol H\)と力場である磁束密度\(\boldsymbol B\)の関係が磁化\(\boldsymbol M\)を介して得られることが分かる。
磁気感受率
磁場\(\boldsymbol H\)と磁束密度\(\boldsymbol B\)の関係
と構成方程式(4)より、次の関係
が得られ、磁気感受率(または磁化率)\(\chi_{\text m}\)
を定義すると
と磁化\(\boldsymbol M\)が表される。ある磁化\(\boldsymbol M\)が生じたとき、磁場\(\boldsymbol H\)との関係は磁気感受率\(\chi_{\text m}\)を用いて式(8)で表される。
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